(0)
Изображение служит лишь для справки
GT30J121(Q)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-3P-3, SC-65-3
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Date Sheet
Lagernummer 177
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-3P-3, SC-65-3
- Количество контактов：3
- Диэлектрический пробой напряжение：600V
- Условия испытания：300V, 30A, 24 Ω, 15V
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2006
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Максимальная потеря мощности：170W
- Конфигурация элемента：Single
- Входной тип：Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
- Максимальный ток сбора：30A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.45V @ 15V, 30A
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：60A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：90ns/300ns
- Переключаемый энергопотребление：1mJ (on), 800μJ (off)
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 177
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
