![](https://static.whisyee.com/dimg/onsemiconductor-fga70n30ttu-4577.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
FGA5065ADF
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-3P-3, SC-65-3
- IGBT 650V 100A TO-3PN
Date Sheet
Lagernummer 399
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Срок поставки от производителя:6 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-3P-3, SC-65-3
- Вес:6.401g
- Диэлектрический пробой напряжение:650V
- Условия испытания:400V, 50A, 6 Ω, 15V
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Опубликовано:2016
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Максимальная потеря мощности:268W
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Входной тип:Standard
- Мощность - Макс:268W
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):2.2V
- Максимальный ток сбора:100A
- Время обратной рекомпенсации:31.8 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.2V @ 15V, 50A
- Тип ИGBT:Trench Field Stop
- Зарядная мощность:72.2nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm):150A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C:20.8ns/62.4ns
- Переключаемый энергопотребление:1.35mJ (on), 309μJ (off)
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 399
Итого $0.00000