(0)
Изображение служит лишь для справки
IXBR42N170
-
IXYS
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- ISOPLUS247™
- IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
Date Sheet
Lagernummer 8
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：32 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：ISOPLUS247™
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：1.7kV
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：BIMOSFET™
- Опубликовано：2008
- Код JESD-609：e1
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
- Дополнительная Характеристика：UL RECOGNIZED
- Максимальная потеря мощности：200W
- Положение терминала：SINGLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：IXB*42N170
- Число контактов：247
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：200W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.9V
- Максимальный ток сбора：57A
- Время обратной рекомпенсации：1.32 μs
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1700V
- Время включения：224 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.9V @ 15V, 42A
- Время выключения (toff)：1070 ns
- Зарядная мощность：188nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：300A
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：5.5V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 8
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
