IRG4BC15UD-SPBF

Name: Infineon Technologies IRG4BC15UD-SPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 5 (18 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - IGBT - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IGBT 600V 14A 49W D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 12000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：16 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Вес：260.39037mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Количество элементов：1
Условия испытания：480V, 7.8A, 75 Ω, 15V
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2004
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Ток постоянного напряжения - номинальный：600V
Максимальная потеря мощности：49W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：14A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：49W
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Применение транзистора：POWER CONTROL
Время подъема：20ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.4V
Максимальный ток сбора：14A
Время обратной рекомпенсации：28 ns
Время включения：37 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.4V @ 15V, 7.8A
Время выключения (toff)：400 ns
Зарядная мощность：23nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：42A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：17ns/160ns
Переключаемый энергопотребление：240μJ (on), 260μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6V
Высота：4.83mm
Длина：10.668mm
Ширина：4.826mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 12000

Итого $0.00000