STGB3NB60SDT4

Name: STMicroelectronics STGB3NB60SDT4
Brand: STMicroelectronics
Rating: 4.6 (17 reviews)

STMicroelectronics
Транзисторы - IGBT - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IGBT 600V 6A 70W D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 32100

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Количество элементов：1
Условия испытания：480V, 3A, 1k Ω, 15V
Рабочая температура：175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerMESH™
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：600V
Максимальная потеря мощности：70W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：245
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：3A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STGB3
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：70W
Входной тип：Standard
Применение транзистора：MOTOR CONTROL
Время подъема：150ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
Максимальный ток сбора：6A
Время обратной рекомпенсации：1.7μs
Непрерывный ток стока (ID)：3A
Время включения：275 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.5V @ 15V, 3A
Время выключения (toff)：4800 ns
Зарядная мощность：18nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：25A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：125ns/3.4μs
Переключаемый энергопотребление：1.15mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：5V
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 32100

Итого $0.00000