HGTG30N60A4

Name: ON Semiconductor HGTG30N60A4
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.5 (15 reviews)

Lagernummer 3100

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-3
Количество контактов：3
Вес：6.39g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Количество элементов：1
Условия испытания：390V, 30A, 3 Ω, 15V
Время отключения：150 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2011
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный：600V
Максимальная потеря мощности：463W
Моментальный ток：75A
Основной номер части：HGTG30N60
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：463W
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Время задержки включения：25 ns
Применение транзистора：POWER CONTROL
Время подъема：12ns
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
Максимальный ток сбора：75A
Время включения：35 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.6V @ 15V, 30A
Прямоходящий ток коллектора：75A
Время выключения (toff)：238 ns
Зарядная мощность：225nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：240A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：25ns/150ns
Переключаемый энергопотребление：280μJ (on), 240μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：7V
Время падения максимальное (tf)：70ns
Высота：20.82mm
Длина：15.87mm
Ширина：4.82mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 3100

Итого $0.00000