FGB20N60SFD-F085

Name: ON Semiconductor FGB20N60SFD-F085
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (15 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - IGBT - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IGBT 600V 40A 208W D2PAK
Date Sheet

Lagernummer 7500

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：7 Weeks
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вид крепления：Surface Mount
Монтаж：Surface Mount
Количество контактов：3
Вес：1.31247g
Материал элемента транзистора：SILICON
Условия испытания：400V, 20A, 10 Ω, 15V
Количество элементов：1
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Серия：Automotive, AEC-Q101
Опубликовано：2013
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности：208W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：FGB20N60
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Время подъёма макс：21ns
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Мощность - Макс：208W
Применение транзистора：POWER CONTROL
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
Максимальный ток сбора：40A
Время обратной рекомпенсации：111 ns
Максимальное напряжение разрушения：600V
Время включения：28 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.85V @ 15V, 20A
Время выключения (toff)：123 ns
Тип ИGBT：Field Stop
Зарядная мощность：63nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：60A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：10ns/90ns
Переключаемый энергопотребление：310μJ (on), 130μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6.5V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 7500

Итого $0.00000