(0)
Изображение служит лишь для справки
FGA30S120P
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-3P-3, SC-65-3
- IGBT Transistors Shorted AnodeTM IGBT
Date Sheet
Lagernummer 647
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Срок поставки от производителя：15 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-3P-3, SC-65-3
- Количество контактов：3
- Вес：6.401g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：1.3kV
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2016
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Максимальная потеря мощности：348W
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Время подъёма макс：490ns
- Конфигурация элемента：Single
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：348W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.3kV
- Максимальный ток сбора：60A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1300V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.3V @ 15V, 30A
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：78nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：150A
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：25V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：7.5V
- Высота：20.1mm
- Длина：15.8mm
- Ширина：5mm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 647
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
