FGH30T65UPDT-F155

Name: ON Semiconductor FGH30T65UPDT-F155
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (7 reviews)

Lagernummer 24

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：4 Weeks
Состояние жизненного цикла：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-3
Монтаж：Through Hole
Количество контактов：3
Вес：6.39g
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：1
Условия испытания：400V, 30A, 8 Ω, 15V
Диэлектрический пробой напряжение：650V
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2016
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Конечная обработка контакта：TIN
Максимальная потеря мощности：250W
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Мощность - Макс：250W
Применение транзистора：POWER CONTROL
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：650V
Максимальный ток сбора：60A
Время обратной рекомпенсации：43 ns
Код JEDEC-95：TO-247AB
Время включения：52 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.3V @ 15V, 30A
Время выключения (toff)：170 ns
Тип ИGBT：Trench Field Stop
Зарядная мощность：155nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：90A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：22ns/139ns
Переключаемый энергопотребление：760μJ (on), 400μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：7.5V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 24

Итого $0.00000