MBRA130LT3G

Name: ON Semiconductor MBRA130LT3G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (9 reviews)

Lagernummer 5000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：12 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：DO-214AC, SMA
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：2
Вес：4.535924g
Материал диодного элемента：SILICON
Пороговая напряжённость / В：30V
Количество элементов：1
Пакетирование：Cut Tape (CT)
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура：125°C
Минимальная температура работы：-55°C
Дополнительная Характеристика：FREE WHEELING DIODE
Код ТН ВЭД：8541.10.00.80
Ток постоянного напряжения - номинальный：30V
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：1A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MBRA130
Число контактов：2
Код JESD-30：R-PSSO-G1
Направленность：Standard
Конфигурация элемента：Single
Скорость：Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип диода：Schottky
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr：1mA @ 30V
Ток выпуска：1A
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If：410mV @ 1A
Сокетная связка：CATHODE
Напряжённая мощность：1A
Максимальный обратный ток утечки：1mA
Температура работы - переходная：-55°C~125°C
Максимальный импульсный ток：25A
Без галогенов：Halogen Free
Напряжение включения：410mV
Максимальное обратное напряжение (постоянное)：30V
Средний выпрямленный ток：1A
Пиковая обратная токовая сила：1mA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)：30V
Пиковый нерегулярный импульсный ток：25A
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)：25A
Высота：2.0574mm
Длина：4.5466mm
Ширина：2.921mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 5000

Итого $0.00000