MBRA120ET3G

Name: ON Semiconductor MBRA120ET3G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (12 reviews)

Lagernummer 100

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：5 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：DO-214AC, SMA
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：2
Вес：4.535924g
Материал диодного элемента：SILICON
Количество элементов：1
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2004
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Применение：POWER
Дополнительная Характеристика：FREE WHEELING DIODE , LOW LEAKAGE CURRENT
Код ТН ВЭД：8541.10.00.80
Ток постоянного напряжения - номинальный：20V
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：J BEND
Моментальный ток：1A
Основной номер части：MBRA120
Число контактов：2
Направленность：Standard
Конфигурация элемента：Single
Скорость：Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип диода：Schottky
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr：10μA @ 20V
Ток выпуска：1A
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If：530mV @ 1A
Напряжённая мощность：1A
Максимальный обратный ток утечки：10μA
Температура работы - переходная：-55°C~150°C
Максимальный импульсный ток：40A
Без галогенов：Halogen Free
Напряжение включения：530mV
Максимальное обратное напряжение (постоянное)：20V
Средний выпрямленный ток：1A
Количество фаз：1
Пиковая обратная токовая сила：10μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)：20V
Пиковый нерегулярный импульсный ток：40A
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)：40A
Высота：2mm
Длина：4.32mm
Ширина：2.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 100

Итого $0.00000