(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTE2418
Изображение служит лишь для справки
NTE2418
-
NTE ELECT
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Pre-Biased IDigital/ Transistor, 50V V(BR)CEO, 100mA I(C), SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Non-Compliant
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Траниционный частотный предел (fT)：250 MHz
- Артикул Производителя：NTE2418
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：NTE Electronics Inc
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
- Ранг риска：2.22
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Подкатегория：BIP General Purpose Small Signal
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Конфигурация элемента：Single
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальный ток сбора：200 mA
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.2 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：50
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
