Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

IXGX72N60B3H1

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:8 Weeks
  • Монтаж:Through Hole
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-247-3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Диэлектрический пробой напряжение:600V
  • Количество элементов:1
  • Условия испытания:480V, 50A, 3 Ω, 15V
  • Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
  • Пакетирование:Tube
  • Серия:GenX3™
  • Опубликовано:2009
  • Код JESD-609:e1
  • Безоловая кодировка:yes
  • Состояние изделия:Active
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:TIN SILVER COPPER
  • Дополнительная Характеристика:LOW CONDUCTION LOSS
  • Максимальная потеря мощности:540W
  • Положение терминала:SINGLE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
  • Основной номер части:IXG*72N60
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-PSIP-T3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Распад мощности:540W
  • Сокетная связка:COLLECTOR
  • Входной тип:Standard
  • Применение транзистора:POWER CONTROL
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):1.8V
  • Максимальный ток сбора:75A
  • Время обратной рекомпенсации:140 ns
  • Время включения:63 ns
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:1.8V @ 15V, 60A
  • Время выключения (toff):370 ns
  • Тип ИGBT:PT
  • Зарядная мощность:225nC
  • Ток-эmitter импульсированный (Icm):450A
  • Тд (вкл/выкл) @ 25°C:31ns/152ns
  • Переключаемый энергопотребление:1.4mJ (on), 1mJ (off)
  • Напряжение затвор-эмиттер (макс.):20V
  • Максимальное напряжение на переходе ГЭ:5V
  • Время падения максимальное (tf):150ns
  • Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
  • Без свинца:Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000