(0)
Изображение служит лишь для справки
IXGT35N120B
-
IXYS
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 70A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Date Sheet
Lagernummer 8
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Вес：4.500005g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2kV
- Количество элементов：1
- Условия испытания：960V, 35A, 5 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：HiPerFAST™
- Опубликовано：2000
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Конечная обработка контакта：PURE TIN
- Дополнительная Характеристика：LOW SATURATION VOLTAGE, LOW SWITCHING LOSSES
- Максимальная потеря мощности：300W
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：IXG*35N120
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：300W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.2kV
- Максимальный ток сбора：70A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Время включения：86 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.3V @ 15V, 35A
- Время выключения (toff)：660 ns
- Тип ИGBT：PT
- Зарядная мощность：170nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：140A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：50ns/180ns
- Переключаемый энергопотребление：3.8mJ (off)
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 8
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
