Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

IXGK50N120C3H1

Lagernummer 31

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Срок поставки от производителя:8 Weeks
  • Монтаж:Through Hole
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-264-3, TO-264AA
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Диэлектрический пробой напряжение:1.2kV
  • Количество элементов:1
  • Условия испытания:600V, 40A, 2 Ω, 15V
  • Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
  • Пакетирование:Tube
  • Серия:GenX3™
  • Опубликовано:2012
  • Код JESD-609:e1
  • Безоловая кодировка:yes
  • Состояние изделия:Active
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:3
  • Конечная обработка контакта:TIN SILVER COPPER
  • Дополнительная Характеристика:LOW CONDUCTION LOSS
  • Максимальная потеря мощности:460W
  • Положение терминала:SINGLE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-PSFM-T3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Сокетная связка:COLLECTOR
  • Входной тип:Standard
  • Мощность - Макс:460W
  • Применение транзистора:POWER CONTROL
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):4.2V
  • Максимальный ток сбора:95A
  • Время обратной рекомпенсации:75 ns
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):1200V
  • Время включения:60 ns
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:4.2V @ 15V, 40A
  • Время выключения (toff):485 ns
  • Тип ИGBT:PT
  • Зарядная мощность:196nC
  • Ток-эmitter импульсированный (Icm):240A
  • Тд (вкл/выкл) @ 25°C:31ns/123ns
  • Переключаемый энергопотребление:2mJ (on), 630μJ (off)
  • Напряжение затвор-эмиттер (макс.):20V
  • Максимальное напряжение на переходе ГЭ:5V
  • Состояние RoHS:ROHS3 Compliant

Со склада 31

Итого $0.00000