Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
IXXX200N60B3
-
IXYS
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT
Date Sheet
Lagernummer 47
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:28 Weeks
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Поверхностный монтаж:NO
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic):380A
- Количество элементов:1
- Условия испытания:360V, 100A, 1 Ω, 15V
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:XPT™, GenX3™
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Количество выводов:3
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED
- Положение терминала:SINGLE
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSIP-T3
- Конфигурация:SINGLE
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Входной тип:Standard
- Мощность - Макс:1630W
- Применение транзистора:POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Время обратной рекомпенсации:100ns
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):600V
- Максимальная потеря мощности (абс.):1630W
- Время включения:140 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:1.7V @ 15V, 100A
- Время выключения (toff):395 ns
- Зарядная мощность:315nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm):900A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C:48ns/160ns
- Переключаемый энергопотребление:2.85mJ (on), 4.4mJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.):20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ:6V
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 47
Итого $0.00000