![](https://static.whisyee.com/fimg/infineontechnologies-igc99t120t8rlx1sa3-3393.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
IGC99T120T8RLX1SA3
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- Die
- IGBT 1200V 100A DIE
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Корпус / Кейс:Die
- Вид крепления:Surface Mount
- Количество элементов:1
- Опубликовано:2015
- Пакетирование:Bulk
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:5
- Код ECCN:EAR99
- Максимальная рабочая температура:175°C
- Минимальная температура работы:-40°C
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-XUUC-N5
- Конфигурация:SINGLE
- Входной тип:Standard
- Применение транзистора:POWER CONTROL
- Напряжение стока-исток (Vdss):1.2kV
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):1.2kV
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками:1.2kV
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):1200V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:1.97V @ 15V, 100A
- Тип ИGBT:Trench Field Stop
- Ток-эmitter импульсированный (Icm):300A
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000