(0)
Изображение служит лишь для справки
STGB30NC60WT4
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- IGBT 600V 60A 200W D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 772
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：600V
- Количество элементов：1
- Условия испытания：390V, 20A, 10 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：PowerMESH™
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
- Максимальная потеря мощности：200W
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：245
- Основной номер части：STGB30
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента：Single
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：200W
- Применение транзистора：MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
- Максимальный ток сбора：60A
- Максимальное напряжение разрушения：600V
- Время включения：42.5 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.5V @ 15V, 20A
- Время выключения (toff)：189 ns
- Зарядная мощность：102nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：150A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：29.5ns/118ns
- Переключаемый энергопотребление：305μJ (on), 181μJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：5.75V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 772
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
