(0)
Изображение служит лишь для справки
IRGS30B60KTRRP
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- IGBT 600V 78A 370W D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：9 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Вес：260.39037mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：600V
- Количество элементов：1
- Условия испытания：400V, 30A, 10 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2005
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Last Time Buy
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- Максимальная потеря мощности：370W
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Основной номер части：IRGS30B60KPBF
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：370W
- Применение транзистора：MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.35V
- Максимальный ток сбора：78A
- Максимальное напряжение разрушения：600V
- Время включения：74 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.35V @ 15V, 30A
- Время выключения (toff)：237 ns
- Тип ИGBT：NPT
- Зарядная мощность：102nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：120A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：46ns/185ns
- Переключаемый энергопотребление：350μJ (on), 825μJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：5.5V
- Время падения максимальное (tf)：42ns
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
