(0)
Изображение служит лишь для справки
STGW60H65F
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT Transistors 60A 650V FST IGBT Very High Switching
Date Sheet
Lagernummer 1223
- 1+： $3.16408
- 10+： $2.98498
- 100+： $2.81602
- 500+： $2.65662
- 1000+： $2.50625
Zwischensummenbetrag $3.16408
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Вес：6.500007g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：650V
- Количество элементов：1
- Условия испытания：400V, 60A, 10 Ω, 15V
- Время отключения：210 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：360W
- Основной номер части：STGW60
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация элемента：Single
- Входной тип：Standard
- Время задержки включения：65 ns
- Мощность - Макс：360W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
- Максимальный ток сбора：120A
- Время включения：96 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.9V @ 15V, 60A
- Время выключения (toff)：265 ns
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：217nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：240A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：65ns/180ns
- Переключаемый энергопотребление：750μJ (on), 1.05mJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 1223
- 1+： $3.16408
- 10+： $2.98498
- 100+： $2.81602
- 500+： $2.65662
- 1000+： $2.50625
Итого $3.16408
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
