IKD06N60RATMA1

Name: Infineon Technologies IKD06N60RATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.6 (10 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - IGBT - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin TO-252 T/R
Date Sheet

Lagernummer 1334

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：16 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：600V
Количество элементов：1
Условия испытания：400V, 6A, 23 Ω, 15V
Рабочая температура：-40°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchStop™
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности：100W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Входной тип：Standard
Мощность - Макс：100W
Применение транзистора：POWER CONTROL
Без галогенов：Halogen Free
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2.1V
Максимальный ток сбора：12A
Время обратной рекомпенсации：68 ns
Максимальное напряжение разрушения：600V
Время включения：22 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.1V @ 15V, 6A
Время выключения (toff)：335 ns
Тип ИGBT：Trench Field Stop
Зарядная мощность：48nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)：18A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C：12ns/127ns
Переключаемый энергопотребление：110μJ (on), 220μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ：5.7V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 1334

Итого $0.00000