(0)
Изображение служит лишь для справки
RGT30NS65DGTL
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- IGBT 650V 30A 133W TO-263S
Date Sheet
Lagernummer 24
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：17 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Вес：1.946308g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：650V
- Количество элементов：1
- Условия испытания：400V, 15A, 10 Ω, 15V
- Время отключения：64 ns
- Рабочая температура：-40°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：133W
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：133W
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Время задержки включения：18 ns
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：650V
- Максимальный ток сбора：30A
- Время обратной рекомпенсации：55 ns
- Максимальное напряжение разрушения：650V
- Время включения：40 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.1V @ 15V, 15A
- Максимальная температура перехода (Тj)：175°C
- Прямоходящий ток коллектора：30A
- Время выключения (toff)：204 ns
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：32nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：45A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：18ns/64ns
- Высота：5mm
- REACH SVHC：Unknown
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 24
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
