(0)
Изображение служит лишь для справки
RGW00TS65GC11
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
Date Sheet
Lagernummer 396
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：17 Weeks
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：96A
- Количество элементов：1
- Условия испытания：400V, 50A, 10 Ω, 15V
- Рабочая температура：-40°C~175°C TJ
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Положение терминала：SINGLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：254W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：650V
- Время включения：72 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.9V @ 15V, 50A
- Время выключения (toff)：273 ns
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：141nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：200A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：52ns/180ns
- Переключаемый энергопотребление：1.18mJ (on), 960μJ (off)
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 396
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
