(0)
Изображение служит лишь для справки
STGB30V60DF
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Date Sheet
Lagernummer 209
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：20 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вес：2.240009g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：600V
- Количество элементов：1
- Условия испытания：400V, 30A, 10 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：258W
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：STGB30
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：258W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
- Максимальный ток сбора：60A
- Время обратной рекомпенсации：53 ns
- Максимальное напряжение разрушения：600V
- Время включения：59 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.3V @ 15V, 30A
- Время выключения (toff)：225 ns
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：163nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：120A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：45ns/189ns
- Переключаемый энергопотребление：383μJ (on), 233μJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 209
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
