Изображение служит лишь для справки
2SJ676
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：IN-LINE, R-PSIP-T3
- Форма упаковки：IN-LINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Артикул Производителя：2SJ676
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Toshiba America Electronic Components
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Lifetime Buy
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Ранг риска：5.39
- Максимальный ток утечки (ID)：2.5 A
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：2.5 A
- Сопротивление открытого канала-макс：2 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：10 A
- Минимальная напряжённость разрушения：200 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：191 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：1.3 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты