Изображение служит лишь для справки
3N65L-TF3-T
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:3N65L-TF3-T
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Unisonic Technologies Co Ltd
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
- Ранг риска:5.59
- Код упаковки компонента:TO-220AB
- Максимальный ток утечки (ID):3 A
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Максимальный сливовой ток (ID):3 A
- Сопротивление открытого канала-макс:3.6 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:12 A
- Минимальная напряжённость разрушения:650 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):200 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):34 W
Со склада 0
Итого $0.00000