(0)
Изображение служит лишь для справки
TSD2150ACY
-
Taiwan Semiconductor
-
Неклассифицированные
- -
- NPN Bipolar Transistor, 50V
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：NRND (Last Updated: 2 years ago)
- Производитель：TAIWAN SEMICONDUCTOR
- Пороговая напряжённость / В：51 V
- Обратная напряженность отстоя：24 V
- Минимальная частота работы в герцах：200
- Статус жизненного цикла производителя：NRND (Last Updated: 2 years ago)
- РХОС：Compliant
- Пакетирование：SOT-89
- Направленность：NPN
- Каналов количество：2
- Напряжение：VCEO - 50V
- Распад мощности：200 mW
- Максимальный обратный ток утечки：1 µA
- Уровень задержки：70.1 V
- Пиковый импульсный ток：21.4 A
- Максимальная импульсная мощность：1.5 kW
- Ток испытания：2.5 mA
- Напряжение стока-исток (Vdss)：-60 V
- Напряжение включения：1 V
- Напряжение Зенера：75 V
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50 V
- Время обратной рекомпенсации：50 ns
- Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)：250 V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：-1.5 V
- Входной ёмкости：436 pF
- Максимальное напряжение разрушения：9.8 V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6 V
- Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)：2.5 A
- Максимальная температура перехода (Тj)：150 °C
- Прямоходящий ток коллектора：3 A
- Минимальная разрушающая напряжение：25.4 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
