Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN2992UFB4-7B
Изображение служит лишь для справки
DMN2992UFB4-7B
-
Diodes
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 3-XFDFN
- MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Date Sheet
Lagernummer 1735
- 1+： $0.15252
- 10+： $0.14388
- 100+： $0.13574
- 500+： $0.12806
- 1000+： $0.12081
Zwischensummenbetrag $0.15252
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：3-XFDFN
- Поставщик упаковки устройства：X2-DFN1006-3
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Основной номер продукта：DMN2992
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：830mA (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V, 4.5V
- Mfr：Diodes Incorporated
- Максимальная мощность рассеяния：380mW (Ta)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：990mOhm @ 100mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：15.6 pF @ 16 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：410 pC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20 V
- Угол настройки (макс.)：±8V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 1735
- 1+： $0.15252
- 10+： $0.14388
- 100+： $0.13574
- 500+： $0.12806
- 1000+： $0.12081
Итого $0.15252
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты