Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDFMA2P853T
Изображение служит лишь для справки
FDFMA2P853T
-
Fairchild
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-VDFN Exposed Pad
- MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
Date Sheet
Lagernummer 11990
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-VDFN Exposed Pad
- Поставщик упаковки устройства：6-MicroFET (2x2)
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V, 4.5V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：1.4W (Ta)
- Состояние продукта：Obsolete
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：PowerTrench®
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：120mOhm @ 3A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.3V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：435 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20 V
- Угол настройки (макс.)：±8V
- Характеристика ТРП：Schottky Diode (Isolated)
Со склада 11990
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты