Изображение служит лишь для справки
MBR200200CT
-
GeneSiC Semiconductor
-
Диоды - Выпрямители - Массивы
- Twin Tower
- DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
Date Sheet
Lagernummer 26
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Lifecycle Status：PRODUCTION (Last Updated: 5 months ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Chassis Mount
- Mounting Type：Chassis Mount
- Package / Case：Twin Tower
- Diode Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Operating Temperature (Max.)：150°C
- Packaging：Bulk
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Applications：POWER
- HTS Code：8541.10.00.80
- Terminal Position：UPPER
- Terminal Form：UNSPECIFIED
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- JESD-30 Code：R-PUFM-X2
- Element Configuration：Common Cathode
- Speed：Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Diode Type：Schottky
- Current - Reverse Leakage @ Vr：3mA @ 200V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If：920mV @ 100A
- Operating Temperature - Junction：-55°C~150°C
- Max Reverse Voltage (DC)：200V
- Average Rectified Current：100A
- Number of Phases：1
- Non-rep Pk Forward Current-Max：1500A
- Diode Configuration：1 Pair Common Cathode
- Reverse Current-Max：3000μA
- RoHS Status：RoHS Compliant
Со склада 26
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты