Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:3-XFDFN
  • Поставщик упаковки устройства:DFN1006B-3
  • Пакет:Bulk
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:500mA (Ta)
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.2V, 4.5V
  • Mfr:NXP Semiconductors
  • Максимальная мощность рассеяния:360mW (Ta)
  • Состояние продукта:Active
  • Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Серия:-
  • Технология:MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип ТРВ:P-Channel
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:950mV @ 250µA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:43 pF @ 10 V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:2.1 nC @ 4.5 V
  • Напряжение стока-исток (Vdss):20 V
  • Угол настройки (макс.):±8V
  • Характеристика ТРП:-

Со склада 0

Итого $0.00000