S2M-E3/5BT

Name: Vishay Semiconductor Diodes Division S2M-E3/5BT
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
Rating: 4.9 (19 reviews)

Lagernummer 33276

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：11 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：DO-214AA, SMB
Количество контактов：2
Материал диодного элемента：SILICON
Количество элементов：1
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Применение：GENERAL PURPOSE
Дополнительная Характеристика：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
Код ТН ВЭД：8541.10.00.80
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：S2M
Число контактов：2
Конфигурация элемента：Single
Скорость：Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип диода：Standard
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr：1μA @ 1000V
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If：1.15V @ 1.5A
Напряжённая мощность：1.5A
Температура работы - переходная：-55°C~150°C
Максимальный импульсный ток：50A
Максимальное обратное напряжение (Вр)：1000V
Напряжение включения：1.15V
Максимальное обратное напряжение (постоянное)：1kV
Средний выпрямленный ток：1.5A
Количество фаз：1
Время обратной рекомпенсации：2 μs
Пиковая обратная токовая сила：1μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)：1kV
Емкость @ Vr, Ф：16pF @ 4V 1MHz
Пиковый нерегулярный импульсный ток：50A
Обратная напряжение：1kV
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)：50A
Время восстановления：2 μs
Высота：2.24mm
Длина：4.57mm
Ширина：3.94mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 33276

Итого $0.00000