1N5615US

Name: Microsemi Corporation 1N5615US
Brand: Microsemi Corporation
Rating: 4.8 (13 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)
Срок поставки от производителя：7 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SQ-MELF, A
Количество контактов：2
Материал диодного элемента：SILICON
Количество элементов：1
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：1997
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Максимальная рабочая температура：175°C
Минимальная температура работы：-65°C
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Код ТН ВЭД：8541.10.00.80
Положение терминала：END
Форма вывода：WRAP AROUND
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Число контактов：2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Скорость：Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип диода：Standard
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr：500nA @ 200V
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If：1.6V @ 3A
Сокетная связка：ISOLATED
Температура работы - переходная：-65°C~175°C
Выводная мощность-макс：1A
Напряжение включения：1.6V
Максимальное обратное напряжение (постоянное)：200V
Средний выпрямленный ток：1A
Время обратной рекомпенсации：150 ns
Пиковая обратная токовая сила：500nA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)：200V
Емкость @ Vr, Ф：45pF @ 12V 1MHz
Пиковый нерегулярный импульсный ток：30A
Естественное тепловое сопротивление：13 °C/W
Корпусировка на излучение：Yes
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 0

Итого $0.00000