1N5553US

Name: Microsemi Corporation 1N5553US
Brand: Microsemi Corporation
Rating: 4.5 (20 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)
Срок поставки от производителя：7 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SQ-MELF, B
Количество контактов：2
Материал диодного элемента：SILICON
Количество элементов：1
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：1997
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：no
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Максимальная рабочая температура：175°C
Минимальная температура работы：-65°C
Применение：POWER
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Код ТН ВЭД：8541.10.00.80
Положение терминала：END
Форма вывода：WRAP AROUND
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Число контактов：2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Скорость：Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип диода：Standard
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr：1μA @ 800V
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If：1.2V @ 9A
Сокетная связка：ISOLATED
Напряжённая мощность：5A
Температура работы - переходная：-65°C~175°C
Выводная мощность-макс：5A
Напряжение включения：1.3V
Максимальное обратное напряжение (постоянное)：800V
Средний выпрямленный ток：3A
Количество фаз：1
Время обратной рекомпенсации：2 μs
Пиковая обратная токовая сила：1μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)：800V
Пиковый нерегулярный импульсный ток：100A
Корпусировка на излучение：Yes
Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant

Со склада 0

Итого $0.00000