Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RM5N650T2
Изображение служит лишь для справки
RM5N650T2
-
Rectron
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET TO-220 MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 8
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
- Время типичного задержки включения：6 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Вес единицы：0.068784 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1000
- Монтажные варианты：Through Hole
- Минимальная прямая транконductанс：4.8 S
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Rectron
- Бренд：Rectron
- Зарядная характеристика ворот：20 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：900 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：50 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：5 A
- Пакетирование：Tube
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Время подъема：3 ns
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 8
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты