Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RMP4N60T2
Изображение служит лишь для справки
RMP4N60T2
- Rectron
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET, Rds-on - 2000mOhms, Total Gate Charge typ - 15nQ, Max Power Dissipation - 100W, Vgs(th) - 3V, Polarity - N-Channel
- Date Sheet
Lagernummer 14
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Производитель:RECTRON
- РХОС:Y
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:600 V
- Время типичного задержки включения:16 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2 V
- Распад мощности:100 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 30 V, + 30 V
- Вес единицы:0.068784 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:1000
- Монтажные варианты:Through Hole
- Минимальная прямая транконductанс:4 S
- Режим канала:Enhancement
- Бренд:Rectron
- Зарядная характеристика ворот:20 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:2.5 Ohms
- Время задержки отключения типичного:48 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:4 A
- Пакетирование:Case - TO-220
- Капацитивность:Input Capacitance (Ciss) - 580pF
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Напряжение:Vdss - 600V
- Время подъема:48 ns
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 14
Итого $0.00000