Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RMP6N60T2
Изображение служит лишь для справки
RMP6N60T2
- Rectron
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET, Rds-on - 1500mOhms, Total Gate Charge typ - 30nQ, Max Power Dissipation - 100W, Vgs(th) - 3V, Polarity - N-Channel
- Date Sheet
Lagernummer 8
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Производитель:RECTRON
- РХОС:Y
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:600 V
- Время типичного задержки включения:25 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2 V
- Распад мощности:100 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 30 V, + 30 V
- Вес единицы:0.068784 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:1000
- Монтажные варианты:Through Hole
- Минимальная прямая транконductанс:5 S
- Режим канала:Enhancement
- Бренд:Rectron
- Зарядная характеристика ворот:35 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:1.65 Ohms
- Время задержки отключения типичного:75 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:6 A
- Пакетирование:Case - TO-220
- Капацитивность:Input Capacitance (Ciss) - 800pF
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Напряжение:Vdss - 600V
- Время подъема:58 ns
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 8
Итого $0.00000