(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PMPB48EP，115
Изображение служит лишь для справки
PMPB48EP，115
-
NXP
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 6-XFDFN Exposed Pad
- MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-XFDFN Exposed Pad
- Поставщик упаковки устройства：DFN1010B-6
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.7A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：NXP USA Inc.
- Максимальная мощность рассеяния：1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：50mOhm @ 4.7A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：860 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：26 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
