
Изображение служит лишь для справки






FF800R17KE3NOSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Module
- IGBT MODULE VCES 1200V 800A
Date Sheet
Lagernummer 554
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:36 Weeks
- Монтаж:Screw
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:Module
- Количество контактов:130
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Рабочая температура:-40°C~125°C
- Опубликовано:2002
- Безоловая кодировка:no
- Состояние изделия:Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):Not Applicable
- Количество выводов:10
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Число контактов:10
- Код JESD-30:R-XUFM-X10
- Конфигурация:2 Independent
- Конфигурация элемента:Dual
- Сокетная связка:ISOLATED
- Мощность - Макс:4450W
- Без галогенов:Not Halogen Free
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Ввод:Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):1.7kV
- Максимальный ток сбора:1.15kA
- Ток - отсечка коллектора (макс):5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):1700V
- Время включения:900 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.45V @ 15V, 800A
- Время выключения (toff):1900 ns
- Термистор с изменяемым сопротивлением:No
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce:72nF @ 25V
- Высота:38mm
- Длина:140mm
- Ширина:130mm
- Состояние RoHS:Non-RoHS Compliant
- Без свинца:Contains Lead
Со склада 554
Итого $0.00000