
Изображение служит лишь для справки






FD600R17KE3B2NOSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Module
- IGBT MODULE VCES 600V 600A
Date Sheet
Lagernummer 559
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:42 Weeks
- Монтаж:Screw
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:Module
- Количество контактов:130
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Рабочая температура:-40°C~125°C
- Опубликовано:2002
- Состояние изделия:Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:10
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Код JESD-30:R-XUFM-X10
- Конфигурация:Single Chopper
- Сокетная связка:ISOLATED
- Мощность - Макс:4300W
- Применение транзистора:POWER CONTROL
- Без галогенов:Not Halogen Free
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Ввод:Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):1.7kV
- Максимальный ток сбора:950A
- Ток - отсечка коллектора (макс):5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):1700V
- Время включения:900 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.45V @ 15V, 600A
- Время выключения (toff):1900 ns
- Термистор с изменяемым сопротивлением:No
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce:54nF @ 25V
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Contains Lead
Со склада 559
Итого $0.00000