(0)
Изображение служит лишь для справки
FZ2400R12HE4B9HOSA2
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Module
- IGBT MODULE 1200V 3560A
Date Sheet
Lagernummer 712
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：50 Weeks
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：3560A
- Количество элементов：3
- Рабочая температура：-40°C~150°C
- Опубликовано：2002
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：9
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：UL APPROVED
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Код JESD-30：R-PUFM-X9
- Конфигурация：Single Switch
- Сокетная связка：ISOLATED
- Мощность - Макс：13500W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Без галогенов：Not Halogen Free
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Standard
- Ток - отсечка коллектора (макс)：5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Время включения：880 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.1V @ 15V, 2400A
- Время выключения (toff)：1320 ns
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Термистор с изменяемым сопротивлением：No
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：150nF @ 25V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 712
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
