
Изображение служит лишь для справки






FZ1200R45KL3B5NOSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Module
- IGBT MODULE 4500V 1200A
Date Sheet
Lagernummer 837
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:20 Weeks
- Монтаж:Screw
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:Module
- Количество контактов:9
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic):1200A
- Количество элементов:3
- Рабочая температура:-50°C~125°C
- Опубликовано:2002
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:9
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Конфигурация:Single
- Сокетная связка:ISOLATED
- Мощность - Макс:13500W
- Применение транзистора:POWER CONTROL
- Без галогенов:Not Halogen Free
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Ввод:Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):4.5kV
- Ток - отсечка коллектора (макс):5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):4500V
- Время включения:1050 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.85V @ 15V, 1200A
- Время выключения (toff):7350 ns
- Термистор с изменяемым сопротивлением:No
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce:280nF @ 25V
- Состояние RoHS:Non-RoHS Compliant
- Без свинца:Contains Lead
Со склада 837
Итого $0.00000