Изображение служит лишь для справки
MIXA61H1200ED
-
IXYS
-
Транзисторы - Модули IGBT
- E2
- IGBT Modules IGBT XPT Module H Bridge
Date Sheet
Lagernummer 14
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Factory Lead Time：25 Weeks
- Mount：Chassis Mount
- Mounting Type：Chassis Mount
- Package / Case：E2
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：1.2kV
- Number of Elements：4
- Operating Temperature：-40°C~125°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2011
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：12
- Additional Feature：UL RECOGNIZED
- Max Power Dissipation：290W
- Terminal Position：UPPER
- Terminal Form：UNSPECIFIED
- JESD-30 Code：R-XUFM-X12
- Configuration：Full Bridge Inverter
- Power Dissipation：290W
- Case Connection：ISOLATED
- Transistor Application：POWER CONTROL
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL
- Input：Standard
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：2.1V
- Max Collector Current：85A
- Current - Collector Cutoff (Max)：500μA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：1200V
- Turn On Time：110 ns
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：2.1V @ 15V, 55A
- Turn Off Time-Nom (toff)：350 ns
- IGBT Type：PT
- NTC Thermistor：No
- Gate-Emitter Voltage-Max：20V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
Со склада 14
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты