(0)
Изображение служит лишь для справки
FF200R12KT3EHOSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Module
- IGBT MODULE 1200V 1050W
Date Sheet
Lagernummer 2912
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Монтаж：Screw
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Количество контактов：7
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-40°C~125°C
- Опубликовано：2002
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：7
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：UL RECOGNIZED
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Конфигурация：2 Independent
- Конфигурация элемента：Dual
- Сокетная связка：ISOLATED
- Мощность - Макс：1050W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Без галогенов：Not Halogen Free
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.2kV
- Максимальный ток сбора：295A
- Ток - отсечка коллектора (макс)：5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Время включения：215 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.15V @ 15V, 200A
- Время выключения (toff)：680 ns
- Термистор с изменяемым сопротивлением：No
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：14nF @ 25V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 2912
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
