(0)
Изображение служит лишь для справки
FF50R12RT4HOSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Module
- IGBT Modules IGBT 1200V 50A
Date Sheet
Lagernummer 33
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Корпус / Кейс：Module
- Поверхностный монтаж：NO
- Вид крепления：Chassis Mount
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：50A
- Рабочая температура：-40°C~150°C TJ
- Опубликовано：2002
- Безоловая кодировка：no
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：5
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Число контактов：7
- Код JESD-30：R-XUFM-X5
- Конфигурация：Half Bridge
- Конфигурация элемента：Dual
- Сокетная связка：ISOLATED
- Мощность - Макс：285W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Без галогенов：Not Halogen Free
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Standard
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Время включения：185 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.15V @ 15V, 50A
- Время выключения (toff)：490 ns
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Термистор с изменяемым сопротивлением：No
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：2.8nF @ 25V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 33
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
