(0)
Изображение служит лишь для справки
IXYN100N120C3
-
IXYS
-
Транзисторы - Модули IGBT
- SOT-227-4, miniBLOC
- IGBT MOD 1200V 152A 830W SOT227B
Date Sheet
Lagernummer 11710850
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：17 Weeks
- Монтаж：Chassis Mount, Surface Mount
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：SOT-227-4, miniBLOC
- Количество контактов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2kV
- Количество элементов：1
- Время отключения：123 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Серия：XPT™, GenX3™
- Опубликовано：2011
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：4
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
- Максимальная потеря мощности：830W
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Число контактов：4
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：830W
- Сокетная связка：ISOLATED
- Время задержки включения：32 ns
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.2kV
- Максимальный ток сбора：152A
- Ток - отсечка коллектора (макс)：25μA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Входной ёмкости：6nF
- Время включения：122 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.5V @ 15V, 100A
- Время выключения (toff)：265 ns
- Термистор с изменяемым сопротивлением：No
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：6nF @ 25V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：5V
- Высота：9.6mm
- Длина：38.23mm
- Ширина：25.07mm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 11710850
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
