(0)
Изображение служит лишь для справки
FF200R12KS4HOSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Module
- IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 275 A, 3.2 V, 1.4 kW, 1.2 kV, Module
Date Sheet
Lagernummer 2533
- 1+： $125.43818
- 10+： $118.33790
- 100+： $111.63953
- 500+： $105.32031
- 1000+： $99.35878
Zwischensummenbetrag $125.43818
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：20 Weeks
- Монтаж：Screw
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Количество контактов：7
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：1.2kV
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-40°C~125°C
- Опубликовано：2002
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：7
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：FAST
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Число контактов：7
- Конфигурация：2 Independent
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：1.4kW
- Сокетная связка：ISOLATED
- Мощность - Макс：1400W
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.2kV
- Максимальный ток сбора：275A
- Ток - отсечка коллектора (макс)：5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Время включения：180 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.7V @ 15V, 200A
- Время выключения (toff)：590 ns
- Термистор с изменяемым сопротивлением：No
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：13nF @ 25V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 2533
- 1+： $125.43818
- 10+： $118.33790
- 100+： $111.63953
- 500+： $105.32031
- 1000+： $99.35878
Итого $125.43818
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
