(0)
Изображение служит лишь для справки
FF225R12ME4BOSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Module
- IGBT MODULE VCES 1200V 225A
Date Sheet
Lagernummer 79
- 1+： $85.11665
- 10+： $80.29873
- 100+： $75.75352
- 500+： $71.46558
- 1000+： $67.42036
Zwischensummenbetrag $85.11665
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：320A
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-40°C~150°C
- Серия：EconoDUAL™ 3
- Опубликовано：2002
- Безоловая кодировка：no
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：Not Applicable
- Количество выводов：11
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：11
- Код JESD-30：R-XUFM-X11
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：2 Independent
- Конфигурация элемента：Dual
- Сокетная связка：ISOLATED
- Мощность - Макс：1050W
- Без галогенов：Not Halogen Free
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Standard
- Ток - отсечка коллектора (макс)：3mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200V
- Время включения：220 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.15V @ 15V, 225A
- Время выключения (toff)：600 ns
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Термистор с изменяемым сопротивлением：Yes
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：13nF @ 25V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 79
- 1+： $85.11665
- 10+： $80.29873
- 100+： $75.75352
- 500+： $71.46558
- 1000+： $67.42036
Итого $85.11665
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
