(0)
Изображение служит лишь для справки
APTGT50TL601G
-
Microsemi Corporation
-
Транзисторы - Модули IGBT
- SP1
- POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：36 Weeks
- Монтаж：Chassis Mount, Screw
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：SP1
- Количество контактов：12
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：600V
- Количество элементов：4
- Рабочая температура：-40°C~175°C TJ
- Опубликовано：2012
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：10
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：176W
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Число контактов：12
- Код JESD-30：R-XUFM-X10
- Конфигурация：Three Level Inverter
- Сокетная связка：ISOLATED
- Мощность - Макс：176W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600V
- Максимальный ток сбора：80A
- Ток - отсечка коллектора (макс)：250μA
- Входной ёмкости：3.15nF
- Время включения：170 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.9V @ 15V, 50A
- Время выключения (toff)：310 ns
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Термистор с изменяемым сопротивлением：No
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：3.15nF @ 25V
- Максимальное напряжение на выходе：1.9 V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
