(0)
Изображение служит лишь для справки
FF650R17IE4BOSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Модули IGBT
- Module
- INFINEON FF650R17IE4 IGBT Array & Module Transistor, PrimePACK2, N Channel, 650 A, 2 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module
Date Sheet
Lagernummer 2532
- 1+： $302.02841
- 10+： $284.93247
- 100+： $268.80421
- 500+： $253.58888
- 1000+： $239.23479
Zwischensummenbetrag $302.02841
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：10
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-40°C~150°C
- Серия：PrimePack™2
- Опубликовано：2013
- Безоловая кодировка：no
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：Not Applicable
- Количество выводов：7
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：11
- Код JESD-30：R-XUFM-X7
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：2 Independent
- Конфигурация элемента：Dual
- Сокетная связка：ISOLATED
- Мощность - Макс：4150W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Без галогенов：Not Halogen Free
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Standard
- Ток - отсечка коллектора (макс)：5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1700V
- Время включения：720 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.45V @ 15V, 650A
- Время выключения (toff)：1870 ns
- Термистор с изменяемым сопротивлением：Yes
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：54nF @ 25V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 2532
- 1+： $302.02841
- 10+： $284.93247
- 100+： $268.80421
- 500+： $253.58888
- 1000+： $239.23479
Итого $302.02841
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
